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PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description The黑料打烊网isdesignedforgeneralpurposelowfrequencypoweramplifierapplications. AbsoluteMaximumRatings •MaximumTemperatures StorageTemperature...........................................................-55~+150°C JunctionTemperature...............

HSMC

华昕

SUBMINIATUREFUSEHOLDERS

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LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

PECLOutput

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OSCILENT

Oscilent Corporation

CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10)

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

MAGNETICBREAKERLESSCONVERSIONKITFORMALLORYDISTRIBUTORS

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MALLORY

Mallory Sonalert Products Inc.

MAGNETICBREAKERLESSCONVERSIONKITFORMALLORYDISTRIBUTORS

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MALLORY

Mallory Sonalert Products Inc.

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  • 类型

    描述

  • 型号

    黑料打烊网

  • 制造商

    HSMC

  • 制造商全称

    HSMC

  • 功能描述

    PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

更新时间:2023-12-18 17:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2019-8-2
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    双抗辐射,非反相功率MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4424RH和HS-4424BRH是非相,双,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协,4

    2013-3-2
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    抗辐射双通道,逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协,4423BRH是反转,双通道,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协

    2013-3-2
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    硬化HS-117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK(分钟)。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS-117RH比其他行业的优势标准类型的电路,以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门(RSG)的过程中,HS-117RH都难单事件闭锁,并经过特别设计,提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。特点•电甄

    2013-1-28
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